在電腦晶片製程中，光刻機至為重要，其主要功能是將光罩上的複雜電路圖案轉移到矽晶圓表面，從而建構微米級和奈米級的電子結構，而當下荷蘭阿斯麥（美股編號：ASML）是全球領先的極紫外線（EUV）光刻機供應商。
中國的中芯國際（SMIC）在極紫外線（EUV）光刻技術方面遠遠落後於阿斯麥（ASML）。儘管阿斯麥是全球領先的極紫外線（EUV）光刻機供應商，但由於美國的出口限制，中芯國際一直無法取得這些設備。因此，中芯國際依賴深紫外線（DUV）光刻機，並採用多重曝光等技術來生產先進晶片，例如7奈米甚至5奈米節點。
然而，即使中芯國際在使用深紫外線（DUV）光刻機方面取得了進展，但與EUV微影相比，這種方法效率較低且成本更高。 EUV技術對於7奈米以下節點晶片的量產至關重要，因為它能夠提供更高的精度和更高的產量。中芯國際對深紫外線（DUV）光刻機的依賴以及缺乏EUV光刻機，使其在技術上與台積電和三星等領先代工廠相比處於劣勢，而後者在尖端工藝中廣泛使用阿斯麥的EUV光刻機。
中國正積極研發國產EUV光刻機，但這些努力仍處於早期階段。有報告指出，原型機可能在2025年投入試生產，但要達到ASML EUV系統的複雜程度和效率水平，可能還需要數年時間。
雖則中芯國際的EUV能力與ASML的先進技術仍有很大差距，但DUV能力卻有一定的長進與突破，相信在二至三年後會帶來商業應用。
